您现在的位置：新闻首页>综合资讯
DNP在用于尖端半导体的纳米压印模板上实现了10纳米线图案
- 助力1.4纳米制程半导体生产，降低制造成本与能耗 -
东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912)今日宣布，已成功研发出电路线宽为10纳米（nm，10-9米）的纳米压印光刻(NIL)模板。这款新型模板可实现性能对标1.4纳米制程的逻辑半导体的图案化，满足了尖端逻辑半导体的微型化需求。
本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文： https://www.businesswire.com/news/home/20251208068616/zh-CN/
研发背景与目标
近年来，随着器件精密度的提升，市场对尖端半导体微型化的需求日益增长，这也推动了基于极紫外(EUV)光刻技术的生产进步。然而，EUV光刻技术在生产线建设和曝光工艺方面需要大量的资本投入，且能耗与运行成本居高不下。
DNP自2003年起便致力于NIL模板的研发工作，在高精度图案化领域成功积累了丰富的技术经验。
在此项最新进展中，DNP研发了一种具有10纳米线图案的NIL模板。它可以替代部分EUV光刻工艺，从而帮助那些不具备EUV光刻生产工艺的客户生产尖端逻辑半导体。
主要特性
DNP利用自对准双重图案化(SADP)技术，成功实现了电路线宽为10纳米的新型NIL模板的研发。该技术通过对光刻设备形成的图案进行薄膜沉积和蚀刻处理，使图案密度提升一倍。
这项技术还能降低尖端半导体制造曝光过程中的能耗。得益于采用NIL技术的节能型超精细半导体加工技术，现可将能耗降至现有曝光工艺（如氟化氩(ArF)浸没式光刻和EUV光刻）的约十分之一。
未来规划
我们已启动对NIL模板的评估工作，计划于2027年实现量产。DNP将推进NIL模板的进一步开发，并提高产能以满足不断增长的需求，目标是到2030财年使NIL销售额增加到40亿日元。
DNP创立于1876年，现已成为全球领军企业，以印刷技术为根基开拓创新商业机遇，兼顾环境保护，致力构建更具活力的世界。公司依托微细加工与精密涂布核心技术，为显示设备、电子器件及光学薄膜市场提供产品。
纳米压印模板
- 凡本网注明"来源：国际收藏信息网的所有作品，版权均属于中国际收藏信息网，转载请必须注明中国际收藏信息网，http://www.gjscxx.com。违反者本网将追究相关法律责任。
- 本网转载并注明自其它来源的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品来源，并自负版权等法律责任。
- 如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
